长电晶体管

     晶体管是指一切以半导体材料为基础的单一元器件，包括半导体材料的二极管、三极管、场效应管、可控硅管等。晶体管种类很多，作用也同样不少，不同的晶体管在不同的电路中有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等不同的功能。晶体管的工作原理是利用输入电压来控制输出电流，但与普通的机械开关相比，晶体管是利用电讯号来控制开合，所以开关频率非常快可达100GHz以上。

       晶体管主要分为两大类：场效应晶体管（MOS管）和双极性晶体管。场效应晶体管可通过电压来控制反向漏电流，温度稳定性很好，电压放大系数较小，抗辐射能力强，噪声系数小，多被应用于各种集成电路中。双极性晶体管有体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高等优点，广泛应用于广播、电视、通信、雷达、计算机、电子仪器、家用电器、自控装置等各个领域，主要起到放大、振荡、开关等作用。

       晶体管的主要技术参数有：电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极较大电流、较大反向电压、反向电流等。

       下面再来看看光宇不同晶体管的代换原则：

一、类型相同，即半导体材料一致、极性一致，锗管换锗管、硅管换硅管，NPN型和PNP型不要混淆。

二、特性相近，即晶体管的主要参数和特性曲线相似，晶体管的参数有20个左右，如果另所有的参数都相似，那也不算替换了，所以我们列举了下列主要参数：

1．集电板较大直流耗散功率(pcm)

一般要求用pcm与原管相等或较大的晶体管进行置换。但经过计算或测试，如果原晶体管在整机电路中实际直流耗散功率远小于其pcm，则可以用pcm较小的晶体管置换。

2．集电极较大允许直流电流(icm)

一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换。

3．击穿电压

用于置换的晶体管，必须能够在整机中安全地承受较高工作电压；

4．频率特性

晶体管频率特性参数，常用的有以下2个：

(1)特征频率ft：它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射较电流放大系数时的频率。

(2)截止频率fb：

在置换晶体管时，主要考虑ft与fb。通常要求用于置换的晶体管，其ft与fb，应不小于原晶体管对应的ft与fb。

5。其他参数

除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换时还应考虑以下参数：

(1)对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。

(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。

(3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。

三、外形相似

小功率晶体管一般外形均相似，只要各个电极引出线标志明确，且引出线排列顺序与待换管一致，即可进行更换。大功率晶体管的外形差异较大，置换时应选择外形相似、安装尺寸相同的晶体管，以便安装和保持正常的散热条件。

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